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講演概要 ：
エネルギー問題が関心を集める中でパワー素子に注目が集まっている。
パワー素子はIGBTとパワーMOSFET、およびパワーICが三大分野であり、
この三分野について現状と将来技術を簡潔に展望する。
まず、エネルギー問題を概観し、パワー素子の現状と市場を述べる。
次に大電力を扱うIGBTの開発の経緯を振り返り、将来技術動向について解説する。
パワーMOSFETは電源を中心に効率向上の将来技術を説明する。
最後にパワーICは微細化の進行と超小型化のための100MHz以上の高周波化の可能性について論じる。
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協賛 ：電子情報通信学会
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定員 ： 70名
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参加費 ： 無料
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参加申込み方法 ： お名前、ご所属、電話番号、メールアドレス、IEEE会員/非会員をご記入の上、
tokyosec@ieee-jp.org までお申し込み下さい。
尚、定員になり次第、締め切らせていただきます。
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2012年1月17日IEEE東京支部主催講演会 参加申込票
お名前 ：
フリガナ ：
ご所属 ：
メールアドレス ：
IEEE会員 ： 会員 / 非会員
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参加申込み締切り ： 2012年1月10日(火)
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お願い ： 公共交通機関のご利用をお願い申し上げます。
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連絡先 ： tokyosec@ieee-jp.org (講演会担当係まで)
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