IEEE EDS Japan Chapter 会員各位
IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位
IEEE SSCS Japan Chapter 会員各位
IEEE SSCS Kansai Chapter 会員各位
IEEE Electron Devices Society Japan Chapter
Chair 鳥海 明
Vice
Chair 最上 徹
超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）の成果報告会が以下の通り開催されますのでご案内致します。ふるって御参加下さい。
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「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」開催のご案内
超低電圧デバイス技術研究組合（Low-power Electronics
Association & Project）の第２回成果報告会を下記のように開催いたします。
皆様のご参加を頂きたくご案内申し上げます。
主催 超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）
共催 独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）
協賛 独立行政法人 産業技術総合研究所(AIST)
後援 つくばイノベーションアリーナ（ＴＩＡ）
【日時】:2012年12月19日（水）
13：00〜17：40 （意見交換会 17：45〜19：00）
【会場】: つくば国際会議場
（茨城県つくば市）
成果報告会 2階 大ホール
意見交換会
2階
大ホール前ロビー
【参加費】：無料
【ご参加お申込み】：詳細は下記ウェブサイトをご参照下さい。
http://www.leap.or.jp/seikahoukokukai.html
【プログラム】（敬称略）
13：00 主催者挨拶（理事長
須藤
亮）
13：05 開会挨拶
（独）新エネルギー・産業技術総合開発機構 電子・材料・エネルギー部長（和泉 章）
13：15 プロジェクト概況（住広
直孝）
13：30 磁性変化材料を用いた超低電圧・不揮発デバイス（杉井
寿博）
14：00 相変化材料を用いた超低電圧・不揮発デバイス （高浦 則克）
14：30 ポスターセッション
16：00 原子移動型スイッチを用いた超低電圧・不揮発デバイス（波田
博光）
16：30 三次元ナノカーボン配線・材料技術（酒井
忠司）
17：00 CMOSの超低電圧動作を実現するナノトランジスタ構造デバイス（杉井
信之）
17：30 閉会挨拶
経済産業省 産業技術環境局 研究開発課長（渡辺 昇治）
17：45 意見交換会
【連絡先】：
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LEAP成果報告会2012事務局
株式会社セミコンダクタポータル
E-Mail：
leap_2011@semiconportal.com
Tel： 03-3560-3565 Fax： 03-3560-3566
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以上
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IEEE EDS Japan Chapter，Secretary
喜多浩之
東京大学 大学院工学系研究科
kita@scio.t.u-tokyo.ac.jp
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