IEEE EDS Japan Chapter 会員各位
IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位
IEEE SSCS Japan Chapter 会員各位
IEEE SSCS Kansai Chapter 会員各位
IEEE Electron Devices Society Japan Chapter
Chair 鳥海 明
Vice Chair 最上 徹
2012 IRPS(IEEE International Reliability
Physics Symposium)報告会を
以下の通り東京大学本郷キャンパスにて開催致しますのでお知らせ
致します。また同時に，最上徹氏のEDS DL（distinguished lecturer)
講演会も開催致します。
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2012 IRPS(IEEE International Reliability
Physics Symposium)報告会 及び DL講演会
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2012IRPS報告会を開催致します。 IRPSは、毎年開催される世界トップクラスの
信頼性の学会です。IEEE EDS Japan Chapterでは、日本からの発表の中から
いくつかを、講演者の方に日本語で再度ご講演して頂く国内報告会の機会を
設けました。皆様のご参加を頂きたくご案内申し上げます。
また，報告会に引き続いてEDS DL（distinguished lecturer)の最上徹氏の講演を
行います。
【日時】平成24年 7月20日(金) 13:00-16:50
【会場】東京大学(本郷キャンパス) 工学部4号館 205 セミナー室
(東京都文京区本郷7-3-1,最寄り駅:東京メトロ 東大前,根津,本郷三丁目)
会場地図は下記サイトをご参照下さい。
http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_05_j.html
*参加費、事前申込みは不要です。直接会場にお越し下さい。
・プログラム (敬称略)
1. < 2012 IRPS報告会 >
(1) Opening (13:00-13:05)
IEEE EDS Japan Chapter Chair 挨拶 鳥海 明(東大)
座長
最上 徹 (NEC)
(2) 13:05-13:35 2012IRPSの全体報告 佐藤 基之(東芝)
(3) 13:35-14:00 藤井 章輔 (東芝)
Impact of Program/Erase Stress Induced Hole Current on Data
Retention Degradation for MONOS Memories
: 次世代メモリの候補であるMONOS型メモリの、書き込み消去サイ
クルストレス後の保持特性劣化メカニズムについて議論する。
(4) 14:00-14:25 吉田 親子 (LEAP)
Reliability Study of Magnetic Tunnel Junction with Naturally
Oxidized MgO
Barrier
: 300mmプロセスに対応したMg後酸化MgOバリアの絶縁破壊特性、
および寿命について報告する。
(5) 14:25-14:50 張 利 (東芝)
Direct Observation of Boron Dopant Fluctuation by Site-Specific
Scanning Spreading Resistance Microscopy
: 特定箇所高精度ＳＳＲＭによるボロンドーパントの離散化及び
ばらつきの直接観察を報告する。
休憩 14:50-15:05
座長
佐藤 基之 (東芝)
(6) 15:05-15:30 山口屋 奈穂 (ルネサスセミコン)
A Simple Visualizing Technique of
Impurity Diffusion Layer Using
Porous Silicon Phenomena
: 90nmノード以降の微細CMOSデバイスに適用可能なウェット処理と
TEM観察を用いた拡散層可視化技術について報告する。
(7) 15:30-15:55 中村 英之 (ルネサスエレ)
Scaling Effect and Circuit Type
Dependence of Neutron Induced
Single Event Transient
: 90nmと40nmの中性子測定結果を元に、SET(Single Event Transient)の
回路依存性と、SETによるソフトエラー率のトレンドを議論する。
(8) 15:55-16:20 上村 大樹 (富士通セミコン)
Mitigation Technique Against
Multi-Bit-Upset Without Area, Performance
and Power Overhead
: SRAMにおけるオーバーヘッドのない複数bitのソフトエラー(放射線による
過渡的なエラー)の低減手法を報告する。
2.
< DL 講演会 >
(9) 16:20-16:50 最上 徹 (日本電気，EDS distinguished lecturer)
講演題目 "CMOS Scaling and
Variability"
問合せ先：
IEEE EDS Japan Chapter, Secretary
東京大学 大学院工学系研究科
喜多浩之
TEL./FAX. 03-5841-7164
kita@scio.t.u-tokyo.ac.jp