IEEE EDS Japan Chapter 会員各位

IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位

IEEE SSCS Japan Chapter 会員各位

IEEE SSCS Kansai Chapter 会員各位

IEEE Electron Devices Society Japan Chapter

Chair 木村 紳一郎

Vice Chair 鳥海 明

低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクトの成果報告会が開催されますので,ご案内いたします。

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「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」開催のご案内

超低電圧デバイス技術研究組合(Low-power Electronics Association &Project)の第1回成果報告会を下記のように開催いたします。皆様のご参加を頂きたくご案内申し上げます。

主催 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

共催 独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)

協賛 独立行政法人 産業技術総合研究所 (AIST)

【日時】:2011年12月15日(木)

13:00〜17:10 (意見交換会 17:15〜19:00)

【会場】: つくば国際会議場 (茨城県つくば市)

成果報告会 2階 大ホール

意見交換会 2階 大ホール前ロビー

【参加費】:無料

【ご参加お申込み】:詳細は下記ウェブサイトをご参照下さい。

http://www.leap.or.jp/seikahoukokukai.html

【プログラム】

13:00 主催者挨拶(増原 利明)

13:05 開会挨拶 経済産業省

13:15 プロジェクト概況(住広 直孝)

13:30 磁性変化材料を用いた超低電圧・不揮発デバイス(杉井 寿博)

14:00 相変化材料を用いた超低電圧・不揮発デバイス (高浦 則克)

14:30 ポスターセッション

15:30 原子移動型スイッチを用いた超低電圧・不揮発デバイス(波田 博

光)

16:00 三次元ナノカーボン配線・材料技術(酒井 忠司)

16:30 CMOSの超低電圧動作を実現するナノトランジスタ構造デバイス(杉

井信之)

17:00 閉会挨拶 (独)新エネルギー・産業技術総合開発機構

17:1 意見交換会

【連絡先】:

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LEAP成果報告会2011事務局

株式会社セミコンダクタポータル

E-Mail: leap_2011@semiconportal.com

Tel: 03-3560-3565 Fax: 03-3560-3566

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