IEEE EDS Japan Chapter会員各位
IEEE EDS Kansai Chapter会員各位
IEEE
Electron Devices Society
Chair 黒 部 篤
Vice Chair 小柳 光正
EDS Japan Chapterが協賛しております下記セミナー「VLSI夏の学校」が本年8月に開催されます。多くの皆様にご参加頂けますようご案内申し上げます。 なお、一部講師は異なりますが、昨年とほぼ同じ内容の予定です。
VLSI夏の学校「CMOS回路設計者のためのデバイス基礎講座」
主 催 日本学術振興会シリコン超集積化システム第165委員会
協 賛 IEEE SSCS Japan Chapter
IEEE EDS
東京大学VDEC
●主催
独立行政法人 日本学術振興会 シリコン超集積化システム第１６５委員会
●協賛
IEEE EDS
IEEE SSCS
東京大学 VDEC
●日 時
2007年8月20日（月） 10：30〜17：30
2007年8月21日（火） 10：00〜17：00
●場 所
大阪 千里中央ライフサイエンスセンター
http://www1.senri-lc.co.jp/lc-index.html
●受講対象者
CMOS回路設計者。特に企業の若手技術者や、大学院生。デバイスの知識は問わない。
●定員
350名(会員企業社員を優先)
●プログラム
8月20日(月)
(1) 10:30-12:30
「MOSトランジスタの基礎」 (東大 平本俊郎)
内容：デバイス動作の基礎理論、ロードマップ、スケーリング則、
短チャネル効果、移動度、温度依存など。
(2) 13:30-15:30
「MOSトランジスタのモデリング」(大阪大学 鎌倉良成)
内容： MOSFET動作に関する諸効果とそのシミュレーションによる理解、 SPICE用モデルなど。
(3) 15:30-17:30
「LSI配線の設計手法」(東工大 佐藤高史)
内容：LSI配線のモデリング、設計手法、将来トレンドなど。
8月21日(火)
(4) 10:00-12:00
「高性能Analog/RFに向けたデバイス技術」 (東芝 大黒達也)
内容：1/fノイズ、ft,fmaxなどのRFデバイス特性。
(5) 13:00-15:00
「MOSトランジスタの特性ばらつき」(ルネサス 増田弘生)
内容：チップ内/チップ間の特性ばらつきの実測とモデル化。
(6) 15:00-17:00
「将来に向けてのデバイス研究動向」(東大 平本俊郎)
内容：high-k、ひずみ、新構造MOSFET、基板バイアス制御など。
●参加費 (テキスト代金を含む)
・企業
・165委員会会員企業： 無料
・165委員会非会員企業： 30,000円
・大学関係者： 無料
●申込み方法
下記のURLより, オンラインによりお申し込み下さい.
http://kazunoko.kuee.kyoto-u.ac.jp/165/summer_school2007.html
●お問い合わせ先
VLSI設計若手夏の学校幹事
京都大学情報学研究科 小林和淑
ss07@vlsi.kuee.kyoto-u.ac.jp