IEEE
Japan Council会員各位
IEEE Electron
Devices Society
Chair 黒部 篤
Vice Chair 小柳 光正
IEEE EDS Japan Chapterでは、6/25(月)に下記のDL (Distinguished Lecturer) 講演会を開催致します。奮ってご参加戴けますようご案内申し上げます。
*** IEEE EDS Japan Chapter ＤＬ講演会 ***
テーマ：『有機エレクトロニクス、ＲＦデバイス』
日時：
2007年6月25日（月）13:30 〜 17:15
会場： 東京大学 本郷キャンパス 工学部６号館３階セミナー室Ａ
http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_07_j.html
主催：IEEE EDS Japan Chapter
参加費：無料
※IEEE会員以外の方もご参加いただけます。
尚、会場準備の都合上、参加ご希望の方は、下記連絡先までご連絡頂ければ幸いです。
【内容】 講演60分、質疑10分 （講演は日本語）
13:30〜14:40
「シートデバイスのアンビエントエレクトロニクス応用」
染谷隆夫（東京大学）
14:40〜15:50
「Probing and Control of Surface Polarization Phenomena in Molecular
Films for Organic Electronics」
岩本光正（東京工業大学）
15:50〜16:05 休憩（１５分）
16:05〜17:15
「RF SAW/BAW Devices: Current Status and Future
Prospects」
橋本研也（千葉大学）
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【講演要旨】
題目：シートデバイスのアンビエントエレクトロニクス応用
講師：染谷隆夫（東京大学 量子相エレクトロニクス研究センター）
【要旨】
我々は、有機トランジスタの応用として、アンビエント・エレクトロニクスを提案し、ユニークな大面積シートデバイスを試作してきた。特に、ロボット用の電子人工皮膚として、有機トランジスタを利用した大面積圧力センサーの作製に成功した。最近では、電子人工皮膚以外にも、シート型のスキャナーや曲がる点字ディスプレイなど、有機トランジスタの新応用を提案し、その原理実験に成功している。
本講演では、アンビエント・エレクトロニクスの視点から、有機トランジスタの現状について述べる。特に、有機トランジスタの印刷プロセス、信頼性について最新の技術動向を報告する。また、有機トランジスタを用いた新しいエレクトロニクスの将来展望、今後の課題について述べる。
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題目：Probing and Control of Surface Polarization Phenomena
in Molecular Films for Organic Electronics
講師： 岩本 光正 （東京工業大学 大学院理工学研究科）
【要旨】
分子配列や界面蓄積電荷によって発生する有機膜界面の誘電分極現象について概説し、どんなエレクトロニクスの展開が可能かについてまとめる。ついで、SHGによって、この分極現象を検出した例や、有機FET内に形成される電界を評価した例を紹介する。
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題目：RF SAW/BAW Devices: Current Status and Future
Prospects
講師：橋本 研也 （千葉大学 大学院工学研究科）
【要旨】
RF
filters employing surface or bulk acoustic waves (SAW/BAW)
have been mass produced and widely used in modern mobile communication equipment.
Nowadays various analog functions are going to be merged into the baseband
chip, and current concern is how to integrate remaining one, namely the RF front-end. This is not a simple task because major RF functional devices are based on non-Si technologies, and
the RF section becomes complex rapidly for supporting
multi-band and multi-mode operation.
This talk discusses research
trends of the RF SAW/BAW
filters, focusing on their possible integration into RF
ICs. First, modern SAW/BAW technologies are
introduced, and it is shown how high performances are achievable by the use of
current state-of-the-art technologies. Secondly, current front-end modules are
surveyed, and then it is discussed how they are going to be integrated with
active elements.
Finally, System-in-Package (SiP) and
System-on-Chip (SoC) technologies are discussed as a
possible solution for the full integration of the RF
front end including SAW/BAW devices into RF ICs.
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※人数把握のため、参加ご希望の方は、EDS Japan Chapter Secretary 百瀬まで、ご連絡頂ければ幸いです。
（email: hisayo.momose@toshiba.co.jp）
【本件に関する連絡・問合せ先】
IEEE EDS Japan Chapter Secretary 百瀬 寿代
(株)東芝 半導体研究開発センター
〒235-8522 横浜市磯子区新杉田町8
phone:
045-770-3644
fax: 045-770-3571
email: hisayo.momose@toshiba.co.jp
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