第52回IEEE EPS Japan Chapter イブニングミーティング
52nd IEEE EPS Japan Chapter Evening Meeting
主催: IEEE EPS Japan Chapter
日時： 2021年11月26日(金) 16:30 - 18:30
ZoomによるWeb開催
プログラム Programs
■ 16:30 - 16:35
開会の挨拶：IEEE EPS Japan Chair 日暮栄治（産総研）
Opening remarks by Dr. Eiji Higurashi, Chair, IEEE EPS Japan Chapter (AIST)
■ 16:35 – 17:25
電子実装用エポキシ樹脂および接着界面の劣化挙動
Degradation behavior of epoxy resin for electronic packaging and its adhesive interface
荘司郁夫氏（群馬大学）
Presenter: Prof. Ikuo Shohji (Gunma University))
概要
パワーモジュールの構造に代表される電子版マルチマテリアルでは、有機/無機界面などの異材界面の信頼性が製品の高信頼性化には重要となる。我々は、これまでに含有成分が明確なエポキシ樹脂を用いて、樹脂材自身の各種条件下における物性値を評価し、各種時効による劣化挙動を調査してきた。また、同樹脂を用いて各種金属材料との接着部を対象として各種時効条件下での劣化挙動を調査してきた。本講演では、それらの研究事例を紹介する。
Abstract
In the multimaterial technology for electronics which is represented by the structure of the power module, the reliability of the dissimilar interface such as the organic/inorganic interface is very important to achieve the high reliability of the product. We have investigated various properties of an epoxy resin under several conditions using the epoxy resin which components are clear, and evaluated the degradation behavior of it under several aging conditions. Also, we have investigated degradation behavior of the adhesive with metals under several aging conditions. In this seminar, those research results are introduced.
■ 17:25 – 17:35 休憩 Break
■ 17:35 - 18:25
Cu-Cuハイブリッド接合用新規接合材料
A New Thin Adhesive for Cu-Cu Hybrid Bonding
茅場靖剛氏（三井化学株式会社）
Dr. Yasuhisa Kayaba (Mitsui Chemicals, Inc.)
概要
半導体デバイスの高性能化のため、従来の回路微細化技術に加えて、半導体基板の３次元集積技術が着目されている。特に、ロジックやメモリーの集積においては、良品ダイをウェーハに微細Cu電極で接続できるダイ・ツー・ウェーハ(D2W) ハイブリッド接合技術が重要な技術とされている。本講演では、D2Wハイブリッド接合向けに開発した新規接合材料について紹介する。本接合材料は硬化後に接合可能であるため、半導体ダイを熱スライドや、ダイ端からの樹脂はみだしなしでウェーハ上に積層可能となる。また、SiO2よりも弾性率が小さいため、異物噛みこみやCu/樹脂接合面の段差による接合不良発生リスクがSiO2直接接合に比べて小さくすることが出来る。よって、本接合材料を用いることで高密度かつ高精度D2Wハイブリッド接合を高歩留まりで実現することが出来ると期待される。
Abstract
3D integration attracts much attention for the continuous improvement of semiconductor device performance. For the logic or the memory device 3D integration, die-to-wafer (D2W) hybrid bonding is a key technology because known good die can be connected with fine-pitch Cu bonding electrode. A new thin adhesive was developed for D2W hybrid bonding. Die was stacked on wafer without no thermal sliding and no protrusion because the adhesive is bondable after curing. The bonding failure (void generation) risk due to the debris or the level difference of bonding surface is the lower than that of SiO2 direct bonding because its modulus is the smaller than that of SiO2. The high density and high precision D2W hybrid bonding can be realized with wide process window by using the new thin adhesive.
■ 18:25 – 18:30
閉会の挨拶： IEEE EPS Japan Vice Chair 田久真也（リンテック）
Closing remarks by Mr. Shinya Takyu, Vice Chair, IEEE EPS Japan Chapter (LINTEC Corporation)
参加費 Registration Fee
| IEEE EPS会員 |
無料 |
| IEEE会員 |
1,000円 |
| JIEP会員 |
2,000円 |
| 一般 |
3,000円 |
なおお支払い方法は銀行振込のみになります。
申し込み方法 Registration
参加希望の方は、2021年11月25日（木）までに下記申し込みフォームからお申し込みください。WebinarのURLとパスワードはイブニングミーティングの前日ないし前々日にお知らせします。
参加申し込みフォーム
スマートホンからも申し込みできます。このQRコードを読み取ってリンク先にアクセスしてください。
所属機関のセキュリティの関係で上記フォームからの申し込みができない場合、スマートホンをお持ちでない場合には、必要情報を下記申込先へメールでお申し込み下さい。
また、お問い合わせの際も、下記へ連絡下さい。
申込先
産業技術総合研究所 高橋健司
kenji.takahashi@aist.go.jp
-----申し込み必要情報-----
メールタイトル：[申し込み] 第52回EPSイブニングミーティング参加
氏名：
所属：
会員資格：IEEE EPS or IEEE or JIEP or 一般
会員番号（会員の場合のみ）：
請求書・領収書の宛名：
＊宛名の指定がない場合、所属名で発行させて頂きます。
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