湯浅　新治　氏
（（産業技術総合研究所　上級首席研究員/2021年IEEE Fellow）

「酸化マグネシウム系磁気トンネル接合の基礎と応用」

極薄の絶縁体層（トンネル障壁）を2枚の強磁性電極層で挟んだ「磁気トンネル接合(MTJ)」は、強磁性電極の磁石の相対的な向きに依存して電気抵抗が変化する「トンネル磁気抵抗(TMR)効果」を示し、
スピントロニクスの最重要技術の一つである。スピントロニクス分野は、巨大磁気抵抗(GMR)効果（2007年ノーベル物理学賞の受賞対象）、アモルファスAl-Oトンネル障壁MTJの室温TMR効果を経て、
現在は結晶MgOトンネル障壁MTJ素子の巨大TMR効果1-3)がデバイス応用の中核技術となっている。とくに製造プロセスに適合するCoFeB/MgO/CoFeB構造のMTJ3)は、大容量HDD用の高性能磁気ヘッド（MgO-TMRヘッド）、
混載不揮発メモリSTT-MRAM、汎用のTMR磁気センサーなどで製品化され広く普及している。本講演では、MgO系MTJの約20年間の研究開発をレビューし、スピントロニクス応用の今後の方向性について述べる。
1) S. S. P. Parkin et al., Nature Mater. 3, 862 (2004).
2) S. Yuasa et al., Nature Mater. 3, 868 (2004).
3) D. D. Djayaprawira, S. Yuasa et al., Appl. Phys. Lett. 86, 092502 (2005).

2025年6月11日（水） 15:00～16:30

機械振興会館 6階　6D-4 ★Web方式(Zoom利用予定）も併催にて開催いたします。 オンラインでの 参加方法はお申込みいただいた皆様に6月10日までにお知らせいたします。
〒105-0011 東京都港区芝公園３丁目５−８
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IEEE 東京支部 TPC (Technical Program Committee) （主催）
IEEE 東京支部 LMAG（Life Members Affinity Group）（共催）

会場：40名、オンライン参加：　200名 (Zoom利用予定）会場、オンラインともに定員を超えた場合は先着順）

無料

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2025年6月4日（水）締切

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