IEEE EDS Japan Chapter 会員各位
IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位
IEEE SSCS Japan Chapter 会員各位
IEEE SSCS Kansai Chapter 会員各位
IEEE Electron Devices Society Japan Chapter
Chair 鳥海 明
Vice Chair 最上 徹
以下の通り,来年1月に超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)の成果報告会
が開催されますのでご案内致します。奮ってご参加ください。
「第三回 低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」
開催のご案内
来る2014年1月23日(木)、超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、
第三回「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」を
東京大学 伊藤国際学術研究センターにて開催する運びとなりましたので、
ここにご案内申し上げます。
■ 主催
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
共催 独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)
協賛 独立行政法人 産業技術総合研究所 (AIST)
後援 つくばイノベーションアリーナ (TIA)
■ 日時:平成26年1月23日(木)
13:00〜17:40 (意見交換会 17:50〜19:15)
■会場: 東京大学 伊藤国際学術研究センター
- 成果報告会 B2階 伊藤謝恩ホール
- 意見交換会 B2階 多目的スペース
■プログラム(予定)
13:00
主催者挨拶
理事長 豊木 則行
13:05
開会挨拶
経済産業省 研究開発課長 渡邊 昇治
13:15
プロジェクト概況
プロジェクトリーダー 住広 直孝
13:30
CMOSの超低電圧動作を実現するナノトランジスタ構造デバイス
杉井 信之
14:00
原子移動型スイッチを用いた超低電圧・不揮発デバイス 波田 博光
14:30
休憩20分
14:50
磁性変化材料を用いた超低電圧・不揮発デバイス 杉井 寿博
15:20
相変化材料を用いた超低電圧・不揮発デバイス 高浦 則克
15:50
三次元ナノカーボン配線・材料技術
酒井 忠司
16:20
閉会挨拶 (独)新エネルギー・産業技術総合開発機構
電子・材料・ナノテクノロジー部長 岡田 武
16:30
ポスターセッション
17:40
ポスターセッション終了
17:50
意見交換会
■参加登録方法 (参加費無料 定員300名)
1.下記、申込みページへアクセスください。
http://www.leap.or.jp/seikahoukokukai.html
2.表示された参加申込み画面に必要事項を入力してください。
必要事項を入力後、表示される案内に従ってご登録ください。
3.E-mailで受付完了のお知らせが届きますので、その参加証をプリント
アウト(印刷)し、報告会当日に会場へご持参ください。
■締め切り:2014年1月10日(金)
■詳細は下記ウェブサイトをご参照下さい。
http://www.leap.or.jp/seikahoukokukai.html
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LEAP成果報告会事務局
(株式会社勁草書房コミュニケーション事業部内)
E-Mail: leap_2013@keiso-comm.com
Tel: 03-3814-7112
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