IEEE EDS Japan Chapter 会員各位

IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位

IEEE SSCS Japan Chapter 会員各位

IEEE SSCS Kansai Chapter 会員各位

IEEE Electron Devices Society Japan Chapter

Chair 小柳光正

Vice Chair 木村紳一郎

【9th International Workshop on Junction Technology (IWJT2009)のご案内】

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9th International Workshop on Junction Technology (IWJT2009)

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　本国際会議は、半導体接合技術とその周辺技術をテーマに、日本と中国で毎年交互

に開催されております。今年2009年は6月11～12日に京都大学・百周年時計台記念館

で開催致します。国内外の大学、研究機関、産業界の多くの方々に御投稿・御参加い

ただき、活発な議論を重ねる場を提供できることを願っております。

●対象分野:

○不純物導入技術

・イオン注入、プラズマドーピング、ガス相ドーピング

○熱処理技術

・高速熱処理プロセス、レーザーアニール、フラッシュアニール、固相熱処理、格子

ダメージ・欠陥

○先端CMOSデバイス向け接合技術

・SOI中接合、歪みSi/SiGe/Ge、ショットキー障壁S/D MOSFET、ばらつき低減技術

○シリサイド・コンタクト技術

・シリサイド材料、サリサイド技術、せり上げS/D、低障壁コンタクト、表面処理

○浅接合評価技術

・浅接合向け物理的・電気的特性評価技術、モデリング・シミュレーション

○接合技術向け装置・材料・基板技術

●スペシャルスピーチ：Ran Liu (Fudan Univ.)

●キーノートスピーチ：平本俊郎(東大), Gerard Ghibaudo (IMEP)

●招待講演：Vikram Singh (Varian), Karuppanan Sekar (SemEquip), 品田賢宏(早

大), 青山敬幸(Selete), Massaimo Bersani (FBK-irst), Amitabh Jain (TI), 木下

敦寛(東芝), Michael Gribelyuk (IBM), Pierre Eyben (IMEC), Oleg Gluchenkov (IBM), Yee Chia Yeo (National Univ. of Singapore), 竹内潔(NECEL), 福留秀暢

(富士通)他

●論文投稿締切

　　Late News :2009年4月20日(月)

●講演予稿原稿：A4紙2～4頁の原稿を作成して下さい。

フォーマットや送付方法は下記のホームページを参照して下さい。

●会議詳細: http://www.iwailab.ep.titech.ac.jp/IWJT/

●参加費：30,000円

●問合せ先：IWJT2009事務局　東京工業大学　パールハット・アヘメト

　　　　　　Tel: 045-924-5174, Fax: 045-924-5587

　　　　　　E-mail: iwjt@iwailab.ep.titech.ac.jp

　　　　　　IWJT2009実行委員長　東京工業大学　筒井一生

　　　　　　Tel/Fax: 045-924-5462

　　　　　　E-mail: ktsutsui@ep.titech.ac.jp

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9th International Workshop on Junction Technology (IWJT2009)

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The 9th International Workshop on Junction Technology (IWJT2009) will be held on June 11 - 12, 2009 in Kyoto, Japan. The IWJT, started in 2000 and was held annually in Japan or China, is an open forum focused on the needs and interests of the community on a junction formation technology in semiconductors. At the past IWJTs, a number of eminent and experienced scientists and engineers from Asia, America and Europe presented their latest results on junction technology. The workshop will provide a good opportunity for researchers and engineers to present their new research results, and exchange ideas with leading scientists.

Scopes of Workshop

Papers are solicited in, but not limited to the following.

/Doping Technology

Ion implantation, plasma doping, gas and solid doping /Annealing Technology

Rapid thermal process, laser annealing, flash annealing, SPE,

lattice damage and defects

/Junction Technology for Novel CMOS Devices

Junction for SOI, strained Si, SiGe, Ge, Schottky barrier S/D

MOSFET and small variability

/Silicide and Contact Technology

Silicide materials and salicide technology, elevated S/D,

low barrier contact, surface pre-treatment /Characterization for Shallow Junction

Physical and electrical characterization of ultra-shallow junction /Modeling and Simulation

Modeling and simulation of shallow junction formation of CMOS /Equipment, Materials and Substrates for Junction Technologies

Special Speaker: Ran Liu (Fudan University) Keynote Speakers: Toshiro Hiramoto (Tokyo University),

Gerard Ghibaudo (IMEP)

Invited Speakers: Vikram Singh (Varian), Karuppanan Sekar (SemEquip),

Takahiro Shinada (Waseda University), Takayuki Aoyama (Selete),

Massaimo Bersani (FBK-irst), Amitabh Jain (TI), Atsuhiro Kinoshita

(Toshiba), Michael Gribelyuk (IBM), Pierre Eyben (IMEC),

Oleg Gluchenkov (IBM), Yee Chia Yeo (National Univ. of Singapore),

Kiyoshi Takeuchi (NECEL), Hidenobu Fukutome (Fujitsu)

Dead lines of submission:

Late news: April 20th, 2009

Need more information?

Please visit http://www.iwailab.ep.titech.ac.jp/IWJT/

contact to Parhat Ahmet, Secretariat ( iwjt@iwailab.ep.titech.ac.jp ).

Kazuo Tsutsui, Executive Chair, IWJT2009 ( ktsutsui@ep.titech.ac.jp )

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IEEE EDS Japan Chapter連絡先:Secretary 田中　徹

E-mail:ttanaka@ieee.org

Home page:http://www.ieee-jp.org/section/tokyo/chapter/ED-15/

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