IEEE EDS Japan Chapter 会員各位

IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位

IEEE Electron Devices Society Japan Chapter

Chair 小柳光正

Vice Chair 木村紳一郎

*** Mini-colloquium for Nano CMOS and Nanowire 2009のお知らせ ***

EDS Japan Chapter共催のNano-CMOSとNanowireに関する国際ワークショップを2月21

日(土)に開催致します。最先端の微細電子デバイスの将来を議論致しますので、多

くの方々のご参加をお待ちしております。

「Mini-colloquium for Nano CMOS and Nanowire 2009」

　　　　　　　　　　　記

■日時:2009年2月21日(土)9:30～16:15

■場所:東京工業大学すずかけ台キャンパスすずかけ台ホール3F

　　　(東急田園都市線すずかけ台駅下車徒歩10分)

■参加費:講演会、意見交換会とも無料。申し込み不要です。

■共催:東京工業大学フロンティア研究センター

　　　東京工業大学グローバルCOE「フォトニクス集積コアエレクトロニクス」

　　　IEEE EDS Japan Chapter

■技術共催:IEEE EDS

■お問い合わせ先: MNCN2009事務局 045-921-5847 担当:角嶋(カクシマ)

■運営委員　岩井洋(東工大)、金山敏彦(産総研)、平本俊郎(東京大)

■プログラム

9:30 Opening remarks

9:35-10:00 Tak Ning, IBM, USA

“Paths for Silicon Technology as We Approach the End of CMOS Scaling”

10:00-10:25 Kenji Shiraishi, Univ. of Tsukuba, Japan “Study of Nanowire Band Structure for the Analysis of its Conduction”

10:25-10:50 Cor Claeys, IMEC, Belgium

“Beyond CMOS Technologies: From Nanowires to Graphene”

10:50-11:20 Break

11:20-11:45 Dim-Lee Kwong, IME, Singapore “The Current Status and Future Development of Si Nanowire Device, Technology and Applications”

11:45-12:10 Kenji Natori, Univ. of Tsukuba, Japan “Ballistic Conduction of Si-nanowire FETs Based on Compact Modeling”

12:10-12:35 Nobuyuki Sano, Univ. of Tsukuba, Japan ”Impact of the Coulomb Interaction on Nano-Scale Device Characteristics:

a Monte Carlo Study”

12:35-13:30 Lunch

13:30-13:55 Kenji Ohmori, Waseda Univ., Japan “Fabrication of Gate-around Si Nanowire Transistors for Characterizing Carrier Transport”

13:55-14:20 Shinji Migita, AIST, Japan

“Self-Limiting Growth Behavior of Epitaxial NiSi2 and

Its Impact on Controlled Silicidation of Silicon Nanowires”

14:20-14:55 Toshiro Hiramoto, The Univ. of Tokyo, Japan “Mobility and Strain Effect in Silicon Nanowire Transistor”

14:55-16:15 Panel discussion about “Si Nanowire roadmap toward production ”

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IEEE EDS Japan Chapter連絡先: Secretary 田中　徹

E-mail:　ttanaka@ieee.org

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