日時 | 2005年6月14日(火曜日) 13:30より17:00 | |
会場 | キャ ンパスプラザ京 都(JR京都駅前) 4F 第3講義室 (開場13:00) | |
講演概要, 講演者 | ||
13:30-15:00 | ||
「Content Addressability、CAMと応用技術」 | 井上 一成氏 (ルネサステクノロジ) | |
Bandwidthは、Densityと並んでメモリハードウエアの代表的性能指標のひとつである。これま でHigh Bandwidthメモリは、Application Specific Memoryとして特定用途に照らし合わせて研究、開発が進められてきた。その構成の多くは、メモリ外部データピン上のBandwidthだけでなく内部 バス上で得られるBandを有効活用しようというものである。Content Addressabilityは、メモリ上でおそらくもっともBandを得ることのできるセルを有効活用しようとするものであり、Content Addressable Memory(CAM)は膨大なBandを消費する特定アプリケーションに高く評価されはじめようとしている。本講演では、メモリ上に形成される Content Addressability、その有効性、問題点また、応用技術などを紹介する。 | ||
15:15-16:45 | ||
「Challenges and Opportunities in Nano-Scale SRAMs
Design」 |
Dr. Kevin Zhang (Intel.) | |
As CMOS technology scaling rapidly goes below 100nm, there are many new challenges facing the SRAMs design in meeting power, performance, and density needs for future VLSI applications. In this talk, the cell stability, SRAM performance, and leakage reduction will be discussed along with some Si results from most recent publications on 90nm and 65nm technologies. | ||
参加者 | 58名(うち学生12名) | |
当日の写真 | 井上 一成氏 Dr. Kevin Zhang 講演者 と SSCS Kansai役員 |