「窒化物半導体デバイスの実現とマイクロ波分野への波及」ワークショップ

2015年 10月 17日(土) 　13:00～17:00

龍谷大学セミナーハウス　ともいき荘　2階研修室

テーマ:「窒化物半導体デバイスの実現とマイクロ波分野への波及」

概要：　昨年、ノーベル物理学賞を受賞された赤﨑勇先生、天野浩先生、中村修二先生の発明(ブレイクスルー)によって実現した窒化物半導体の青色LEDは、多くの研究者や企業の方々の技術開発によって飛躍的に生産性や性能が向上し、一気に市場へ広がりました。さらに、青紫色LDや高周波デバイス,パワーデバイスなども実用化され、LED照明,大容量光ディスク,高周波アンプなど私たちの生活の中で既に数多く利用されております。

　これらの窒化物半導体デバイスは、MTT-S 関西チャプタの戦略的重点領域に挙げた技術の進展にも波及しております。そこで今回は、窒化物半導体デバイスの開発ヒストリーを、ノーベル賞授賞式の様子も交えてレビューして頂くと共に、窒化物半導体デバイスを扱うマイクロ波分野の研究者の方々に、その魅力や期待についてご講演頂くことで、窒化物半導体とマイクロ波分野との関わりや今後の進展について理解を深めたいと思います。

オーガナイザー: 柳ヶ瀬　雅司 (株式会社村田製作所)　

参加者内訳

　参加人数　45名［ IEEE会員 28名（うちMTT-S会員 14名）、非会員 17名（うち学生 6名） ］

 
 
ワークショップ風景

講演１

・タイトル：「青色LEDの発明と新規光デバイスへの展開」

・講師：竹内　哲也　教授（名城大学）

講演２

・タイトル：「携帯基地局用GaN HEMTの開発」

・講師： 井上　和孝　氏（住友電気工業株式会社）

講演３

・タイトル：「GaNパワーデバイスの新展開 -レーダ、マイクロ波加熱など」

・講師：山中　宏治　氏（三菱電機株式会社）

講演４

・タイトル：「マイクロ波無線電力伝送とGaNショットキーバリアダイオード」

・講師：大野　泰夫　氏（株式会社レーザーシステム）