IEEE MTT-S 会員各位 IEEE AP-S 会員各位 IEEE Kansai Section 会員各位 IEEE MTT-S Kansai Chapter Chair 石崎俊雄 ********************************************************************** 「窒化物半導体デバイスの実現とマイクロ波分野への波及」ワークショップ 開催案内 ********************************************************************** 概要： 昨年、ノーベル物理学賞を受賞された赤ｱ勇先生、天野浩先生、中村修二 先生の発明(ブレイクスルー)によって実現した窒化物半導体の青色LEDは、 多くの研究者や企業の方々の技術開発によって飛躍的に生産性や性能が向 上し、一気に市場へ広がりました。さらに、青紫色LDや高周波デバイス, パワーデバイスなども実用化され、LED照明,大容量光ディスク,高周波ア ンプなど私たちの生活の中で既に数多く利用されております。 これらの窒化物半導体デバイスは、MTT-S 関西チャプタの戦略的重点領 域に挙げた技術の進展にも波及しております。そこで今回は、窒化物半導 体デバイスの開発ヒストリーを、ノーベル賞授賞式の様子も交えてレビュ ーして頂くと共に、窒化物半導体デバイスを扱うマイクロ波分野の研究者 の方々に、その魅力や期待についてご講演頂くことで、窒化物半導体とマ イクロ波分野との関わりや今後の進展について理解を深めたいと思います。 ●主催: IEEE MTT-S Kansai Chapter ●日時: 2015年10月17日(土) 13:00〜17:00 ●場所: 龍谷大学セミナーハウス ともいき荘 2階研修室 アクセス： http://www.ryukoku.ac.jp/tomoikiso/access.html ●参加資格: どなたでも ●参加費： IEEE会員は無料。非会員は資料費、会場費、講師招聘費等の実費を ご負担いただくため、聴講費1000円をいただきます(学生は除く)。 ●事前申し込み: 文末にある「Web登録」の案内をご覧下さい。 ●プログラム テーマ:「窒化物半導体デバイスの実現とマイクロ波分野への波及」 オーガナイザー: 柳ヶ瀬 雅司 (株式会社村田製作所) 講演 [発表40分,質疑10分] 講演１ ・タイトル：「青色LEDの発明と新規光デバイスへの展開」 ・Title： The invention of blue LEDs and prospects of novel optoelectronic devices ・講師：竹内 哲也 教授（名城大学） ・概要： 2014年ノーベル物理学賞が、高効率青色LEDの発明に対して、名城大学の 赤ｱ勇先生と天野浩先生(現名古屋大学)を含む三名の日本人に贈られた のは記憶に新しい。本講演では、初めにノーベル賞授賞式の様子やエピソ ードを、写真を交えて紹介する。次に、高効率青色LEDの実現を可能にし た窒化物半導体薄膜成長のブレイクスルー(低温バッファ層)に関して説 明する。最後に、青色LEDの次世代デバイスとして期待されている青色面 発光レーザとその新しい応用について報告・紹介する。 講演２ ・タイトル：「携帯基地局用GaN HEMTの開発」 ・Title： Development of GaN HEMT for Cellular Base Station ・講師： 井上 和孝 氏（住友電気工業株式会社） ・概要： 携帯電話基地局のシステムの高度化と共に、高効率・広帯域増幅素子が強 く求められている。 高耐圧・高飽和電子速度特性を有する窒化ガリウム (GaN)は携帯基地局用を始めとするマイクロ波通信用途としても有望 で、精力的に研究開発と商用化が進められてきた。本報告では、高効率回 路技術とそれに対応するGaN HEMTの要求特性の実現を軸に、我々のこれま での開発の取り組みを報告する。 講演３ ・タイトル：「GaNパワーデバイスの新展開 -レーダ、マイクロ波加熱など」 ・Title： New application fields of GaN electron devices, weather radars, microwave chemicals etc. ・講師：山中 宏治 氏（三菱電機株式会社） ・概要： 窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスのマイクロ波化学およびレーダへの 応用展開について紹介する。GaNデバイスを用いることでマグネトロンなど の真空電子管デバイスと同等のkw級のマイクロ波電力を実現できる。GaN 電子デバイスはこれまでパワーエレクトロニクスや移動体無線通信基地局 での応用が進められてきたが、近年ではこれに加えてマイクロ波加熱や気 象レーダなどへも応用が広がっている。 講演４ ・タイトル：「マイクロ波無線電力伝送とGaNショットキーバリアダイオード」 ・Title：Microwave Power Transmission and GaN Schottky Barrier Diode ・講師：大野 泰夫 氏（株式会社レーザーシステム） ・概要： マイクロ波を用いるワイヤレス電力伝送(WPT)はいろいろな応用が期待 はされていたが、適切なデバイスが無いために普及はしていない。その中 でGaN系電子デバイスが高破壊耐圧、高キャリア移動度ということで、この 分野での利用が期待されている。講演ではマイクロ波を用いたWPTの応用 例とともに、システムで使われるデバイス、特に受信部の整流ダイオード について説明する。 なお、最新の情報は下記のサイトにてご確認ください。 http://www.ieee-jp.org/section/kansai/chapter/mtts/ *******参加登録のお願い******* 会場・配布資料の準備のため、なるべく正確な参加人数を見積もりたく存じます。 当日参加も可能ですが、事前申し込みに是非ご協力ください。 申込締切:2015年10月13日(火)までにお申し込みいただけると幸いです。 ■Web登録 IEEE MTT-S Kansai Chapterのホームページ http://www.ieee-jp.org/section/kansai/chapter/mtts/ にアクセスいただき、右下に表示されます「参加登録」より参加登録をお願いします。