概要
近年、パワーデバイスの高周波化が進み、マイクロ波に近づきつつあります。
一方、マイクロ波デバイスもマグネトロンや増幅器、レクチナ等をパワーデバイ
スとして見ることもできます。効率が要求されるデバイスの技術について、電源
とマイクロ波の分野の融合が起こりつつあり、従来のマイクロ波やデバイス技術
にとらわれることなく全体を俯瞰してみることは、今後の技術発展にとって有益
と考えます。
今回、電源からマイクロ波までの高効率パワーデバイスの各分野の第一人者を
お招きして，最新の研究開発動向についてご講演をいただき，幅広い議論を行い
ます。
参加者内訳
参加人数 78名 （IEEE会員37名、非会員41名）
ワークショップ風景
Technical Committee Chair 島崎 仁司氏あいさつ ワークショップ司会 井上 晃氏テーマ： 「高周波パワーデバイス高効率化」
オーガナイザ&司会： 井上 晃（三菱電機）
講演1．
タイトル：GaN ショットキバリアダイオードとマイクロ波レクテナ回路
講師：大野 泰夫 氏（徳島大学）
講演2.
タイトル：高効率発振素子マグネトロンの技術進歩と将来展望
講師：小畑 英幸 氏（新日本無線）
講演3.
タイトル：高周波パワーエレクトロニクスとワイヤレス給電の高効率化
講師：細谷 達也 氏（村田製作所）
講演4.
タイトル：GaNパワーデバイスの高効率化-スイッチング・高周波用途に向けて-
講師：田村 聡之 氏 (パナソニック)
会場の様子
