「シミュレーション技術でマイクロ波を考えるワークショップ」のご案内

IEEE MTT-S 会員各位
IEEE AP-S 　会員各位
IEEE Kansai Section 会員各位

                           IEEE MTT-S Kansai Chapter
                                Chair 石川 容平

　IEEE MTT-S Kansai Chapter では、策定した戦略的領域のうちのマイクロ波
理論・シミュレーション技術に焦点を当て、単にシミュレータを使用するだけ
の立場ではなく、シミュレータを開発，あるいは電磁界解析だけではない他の
物理現象のシミュレーションとを組み合わせる立場などからマイクロ波技術を
考え直すことを企画し、そのワークショップを開催する運びとなりました。
この分野で活躍されております著名な講演者をお招きし、最新の研究開発動向
についてご紹介頂きますので、皆様、是非奮ってご参加下さい。


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「シミュレーション技術でマイクロ波を考えるワークショップ」開催案内
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概要：　
　近年、マイクロ波シミュレータが急速に普及し、その利用範囲も拡がりEMC,
マイクロ波化学・医用応用，ＭＥＭＳ、無線電力伝送など多岐にわたっている。
このような利用分野の拡大、多様化に応えるべく電磁界解析と熱伝導解析、
応力解析を組み合わせたマルチフィジクス機能を有するシミュレータ開発が
すすめられている。また、デバイスミュレーションと回路シミュレーション
とを連携させた効率的なシミュレータ利用、ならびに市販シミュレータと独自
の電磁界解析の併用ついて研究が進められている。シミュレーション技術の
新たな展開を背景に、昨年、電子情報通信学会に第一種「エレクトロニクス
シミュレーション研究専門委員会(EST)」が発足した。本ワークショップでは
EST委員長柴田氏にシミュレーション技術のトレンドをお話いただいた後、
シミュレータ開発、利用ならびに電磁界解析の各分野の第一人者をお招きして，
最新の研究開発動向についてご講演をいただき，幅広い議論を行う。

●主催: IEEE MTT-S Kansai Chapter
●日時: 2012年 7月 28日 (土)  13:00 - 17:00
●場所: 京都工芸繊維大学 松ヶ崎キャンパス 60周年記念館 1階講義室　
　　交通案内　http://www.kit.ac.jp/01/01_110000.html
　　最寄り駅から　http://www.kit.ac.jp/02/matugasaki.html
　　キャンパス地図　http://www.kit.ac.jp/01/gakunaimap/matugasaki.html
　　　　　　（中央東門を入ってすぐ右側）　
●参加費: 無料
●参加資格: どなたでも
●事前申し込み: 文末の「参加調査票」をご利用下さい。
        *参加人数把握のため事前申し込みにご協力下さい。

●プログラム
テーマ:マイクロ波シミュレーション技術の最新動向と今後の展望
オーガナイザ:　北澤 敏秀（立命館大学）

講演1.
タイトル： 回路と電磁界のシミュレーション
講師：柴田 随道（NTT、信学会EST研究会委員長）
概要：
集中定数回路と電磁界の一括シミュレーションは、比較的早い時期から採り上げ
られている複合型のシミュレーションの一つである。本講演では、集積回路とそ
の実装設計における適用事例を紹介し、回路端子（ポート）の考え方について議
論したい。また、昨年より常設の研究会として電子情報通信学会に設置されたエ
レクトロニクスシミュレーション研究専門委員会で議論されている技術トレンド
についても紹介する。

講演2.
タイトル： 有限要素法を使ったマルチフィジックスの解析
講師：番場 成彦、岡田 勉（村田製作所）
概要：
電子部品メーカー、㈱村田製作所では７つのソルバーを備えた有限要素法解析シ
ステムFemtetを開発している。Femtetのソルバーは、それぞれが独立している
が、それらを連携させたマルチフィジックス解析により、さらに幅広い解析を実
現できる。電磁波と熱伝導解析を組み合わせた電子レンジの解析、電磁気力によ
る変形の解析、熱膨張による電気特性変化を調べる解析などについて紹介する。

講演3.
タイトル： デバイスと回路シミュレーションの連携によるGaN HEMTの 半物理的
非線形モデル
講師：大石 敏之、大塚 浩志（三菱電機）
概要：
GaN(窒化ガリウム)半導体を用いた トランジスタ(High Electron Mobility
Transistor: HEMT)は、 レーダや基地局などのマイクロ波増幅器に適用される。
このため、効率的な開発にはデバイス構造からマイクロ波特性を予測できること
が望ましい。そこで、デバイスシミュレーション(物理方程式)の結果を回路シ
ミュレーション(回路方程式)で利用する半物理的非線形モデルを構築した。実際
に作製したGaN HEMTに適用し、大信号特性を再現する結果が得られた。

講演4.
タイトル：電磁界数値解析を基にした回路素子及び開口面アンテナの形状最適化技術
講師：出口 博之 (同志社大学)
概要：
平面回路フィルタ，導波管フィルタ，周波数選択膜，リフレクトアレー，多モー
ドホーン等を取り上げ，モード整合法やモーメント法を基にした設計・解析や電
磁界シミュレータによる評価について紹介し，これら電磁界数値解析を駆使した
回路素子及び開口面アンテナの形状最適化技術について講演する．


なお、最新の情報は下記のサイトにてご確認ください。
http://www.ieee-jp.org/section/kansai/chapter/mtts/


-----参加登録のお願い-----
会場・配布資料の準備のため、なるべく正確な参加人数を見積もりたく
存じます。
当日参加も可能ですが、以下のいずれかの方法で事前申し込みに是非
ご協力下さい。

申込締切:7月25日(月)までにお申し込みいただけると幸いです。

■Web登録
IEEE MTT-S Kansai Chapterのホームページ
http://www.ieee-jp.org/section/kansai/chapter/mtts/
にアクセスいただき、右下に表示されます「参加登録」より参加登録を
お願いします。

■電子メール登録
以下の参加調査票を
京都工芸繊維大学 島崎仁司（simasaki@kit.ac.jp）にお送り下さい。

-----参加調査票-----
開催日:2012年7月28日(土)
お名前:
ご所属:
ワークショップ:出席/欠席 (該当する方をお残し下さい)
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